Samsung Electronics 與 Broadcom 7 月 25 日宣布簽署 memorandum of understanding，合作範圍從 High Bandwidth Memory、2nm 以下代工到 2.3D／2.5D advanced packaging。Samsung 表示，雙方預估 2026 至 2030 年的合作規模超過 2,000 億美元，但目前公告仍是合作計畫，不是已公布的採購訂單。
這份 MOU 對準的是 AI accelerator 所需的記憶體、邏輯晶片與封裝整合。Samsung 提供記憶體與 foundry 能力，Broadcom 則把合作連到下一代 AI accelerator 與 networking silicon；兩家公司沒有在公告中公布特定客戶、產品型號或量產時程。
Samsung 與 Broadcom 把 HBM 供應放進 AI 加速器合作
HBM 是把多層 DRAM 垂直堆疊並以高頻寬介面連接到處理器的記憶體，AI accelerator 需要它在模型運算時快速搬移大量資料。Samsung 的公告表示，雙方計畫合作供應 HBM 等記憶體解決方案，支援 Broadcom 下一代 AI accelerators。
官方用的是 plan to pursue strategic collaboration，代表合作方向已對外宣布，但供應量、產品認證與交貨對象尚未公開。Broadcom 的實際設計採用仍要等產品與供應文件確認。
2nm 以下代工與 2.3D／2.5D 封裝一併納入
在 foundry 部分，合作聚焦 Samsung 的 2nm 及更先進製程，Broadcom 公告中提到的產品包括 wireless broadband communications 解決方案。雙方也計畫把建基於 Samsung 2nm 的 2.3D 與 2.5D integration 納入合作，用來整合邏輯、記憶體和互連。
2.3D／2.5D 封裝的重點是讓不同晶粒在更短的互連距離內協同工作，降低資料搬移與封裝空間限制。Samsung 目前只說明合作範圍，尚未說明採用哪種 interposer、base die 或具體封裝產品。
超過 2,000 億美元是五年合作估算，不是採購金額
Samsung 新聞稿把超過 2,000 億美元描述為未來五年涵蓋 memory 與 foundry 的 estimated collaboration。DCD 也指出，這個數字是合作預估，不應直接解讀成已簽署、可立即認列的訂單或資本支出。
MOU 的法律約束力、實際採購數量、製程良率與客戶產品驗證，都會影響最後落地規模。現階段可確認的是兩家公司已把記憶體、代工與先進封裝放進同一份合作架構。
Samsung 與 Broadcom 尚未公布特定量產產品與交貨日期
Samsung 公告目前只列出 HBM、2nm 以下 foundry、2.3D／2.5D packaging 與 AI／networking silicon 等合作方向，沒有給出特定晶片名稱、首批出貨日期或正式採購合約。後續能否形成量產供應，要等雙方發布產品、客戶驗證或供應協議。
消息來源：Samsung Global Newsroom、DCD。
