華為已經申請了一項專利，這項專利涵蓋了 EUV 光刻系統中使用的一個組件，該組件是在 10 nm以下節點上製造高端處理器所必需的。它解決了極紫外光（EUV）產生的干擾圖案問題，這種干擾會使晶圓不平整。華為的這一專利描述了一個鏡子陣列，它將光束分成多個子光束，這些子光束與它們自己的微觀鏡子碰撞。這些鏡子中的每一個都以不同的方式旋轉，在光線中形成不同的干涉模式，這樣當它們重新結合時，干涉模式就會抵消，從而形成一個統一的光束。
目前，EUV光刻系統由荷蘭公司 ASML 獨家製造。EUV光刻技術依靠的是與傳統光刻技術相同的原理，但使用波長約為 13.5 nm的光，這幾乎已經是一種 X 射線。ASML 公司從快速移動的直徑約為 25 微米的熔融錫液滴中產生紫外光，該公司投入了超過 60 億歐元和 17 年的時間來開發第一批可以銷售的 EUV 光刻機。但是，在它們完成之前，美國政府向荷蘭政府發出了出口禁令，禁止向中國出口這些機器，這導致中國的晶片製造商只好自己想辦法開發 EUV 光刻技術，並於近期陸續有機會成功地將其應用到實際生產中。
在過去的幾年中，中國的晶片製造商一直在努力開發自己的 EUV 光刻技術，以便能夠獨立生產晶片，不再依賴於國外的供應商。這項技術的開發對於中國的晶片製造業來說是至關重要的，因為它允許製造出更小、更精細的晶片，從而提高性能。此外，開發自己的 EUV 光刻技術也有助於中國減少對國外的供應商的依賴，並使中國能夠更好地控制自己的供應鏈。
隨著中國晶片製造商在 EUV 光刻技術方面取得的進展，未來可能會出現更多的競爭。此外，隨著中國相關供應鏈的實力不斷提高，他們可能會成為更有競爭力的供應商，這可能會對全球晶片製造業產生深遠的影響。
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